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高密度和介质+密度STM8L15xx6/8超低功耗设备功能增强STM8 CPU提供增加处理能力(16个MIPS 16兆赫)CISC体系结构的优点,同时保持与提高代码密度,24位线性低功耗操作的寻址空间和一个优化体系结构。
这个系列包括一个集成的调试模块和一个硬件接口(SWIM)，它允许非侵入式的应用程序内调试和超快的Flash编程。
所有高密度和中高密度STM8L15xx6/8微控制器都具有嵌入式数据EEPROM和低功耗低压单电源程序闪存。
这些设备包括一个广泛的增强I/Os和外围设备，一个12位ADC，两个DACs，两个比较器，一个实时时钟，四个16位定时器，一个8位定时器，以及标准的通信接口，如两个spi，一个I2C接口和三个usart。STM8L152x8设备上可以使用8x40或4x44段的LCD。外设的模块化设计允许在不同的ST微控制器家族(包括32位家族)中找到相同的外设。这使得任何向不同家庭的转换都非常容易，并且通过使用一组通用的开发工具甚至可以更加简化。
技术参数：
型号：STM8L151R8T6
商品目录：8位MCU
系列：STM8LEnergyLite
处理器：STM8
尺寸：8-位
速度：16MHz
连接性：SPI，UART/USART
外设：欠压检测/复位，DMA，IR，POR，PWM，WDT
I/O数：54
程序存储容量：64KB（64Kx8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM容量：2Kx8
RAM容量：4Kx8
电压-电源（Vcc/Vdd）：1.8V~3.6V
数据转换器：A/D28x12b，D/A2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C~85°C（TA）
封装/外壳：64-LQFP
ADC分辨率：12bit
ADC通道数量：28
处理器系列：STM8L
工作电源电压：1.8Vto3.6V
接口类型：I2C,SPI,USART
数据RAM大小：4kB
数据ROM大小：2kB
数据Ram类型：RAM
数据Rom类型：EEPROM
数据总线宽度：8bit
时钟频率：16MHz
：STM8
湿度敏感性：Yes
电源电压-：3.6V
电源电压-：1.8V
程序存储器大小：64kB
程序存储器类型：Flash
系列：STM8L151R8
计时器/计数器数量：5Timer
输入/输出端数量：54I/O
操作条件:
工作电源:1.65 ~ 3.6 V(无BOR)， 1.8 ~ 3.6 V(有BOR)
温度范围:-40至85、105或125℃
低功耗特性:
5低功耗模式:等待,低功耗运行(5.9μA),低功耗等(3μA), Active-halt与完整的RTC(1.4μA),停止(400 nA)
消费:200μA / MHz + 330μA
快醒来从停止状态(4.7μs)
每I/0超低泄漏:50na
先进STM8
哈佛架构和3阶段的管道
频率:16mhz, 16 CISC MIPS峰值
多40个外部中断源
-复位和供应管理
低功率，超安全的BOR重置与五个可编程的阈值
超低功耗/ PDR运动
可编程电压检测器(PVD)
-时钟管理
32千赫和1-16兆赫的晶体振荡器
内部16mhz工厂修剪RC和38 kHz低功耗RC
钟安全系统
低功率清债信托公司
带有报警中断的BCD日历
数字校准+/- 0.5ppm精度
先进的反篡改检测
-LCD: 8x40或4x44 w/升压转换器
直接存储器存取
4、ADC、DACs、SPIs、I2C、USARTs、定时器、
1 .内存到内存
-2x2位DAC(双模式)带outut缓冲器
-12位ADC，多1 Msps/28通道
温度传感器和内部参考电压
记忆
高达64千字节的闪存与高达2千字节的数据EEPROM与ECC和RWW
灵活的写/读保护模式
高达4千字节的RAM
2超低功耗比较器
1个固定门槛，1个轨对轨
醒来的能力
计时器:
三个16位定时器2通道(IC, OC, PWM)，正交编码器
一个16位的控制定时器，有3个通道，支持电机控制
一个8位定时器与7位预调器
一个窗口，一个独立的看门狗
频率为1、2或4千赫的寻呼机定时器
通信接口:
双同步串行接口(SPI)
快速I2C 400 kHz SMBus和PMBus
三个USARTs (ISO 7816接口+ IrDA)
多67个I/Os，都可以映射到中断向量上
多达16个电容感应通道，支持触摸，接近，线性触摸和旋转触摸传感器
快速的片上编程和非侵入式调试与游泳，引导加载程序使用USART
96位的惟一ID
电路原理图:
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