深圳市亿芯能科技有限公司

　　产品型号：STM8S207RBT6

　　商品目录：ST(意法半导体)

　　尺寸：8位

　　速度：24MHz

　　连接性：I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART

　　外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

　　I/O数：52

　　程序存储容量：128KB（128Kx8）

　　程序存储器类型：闪存

　　EEPROM容量：2Kx8

　　RAM容量：6Kx8

　　电压-电源（Vcc/Vdd）：2.95V~5.5V

　　数据转换器：A/D16x10b

　　振荡器类型：内部

　　工作温度：-40°C~85°C

　　封装/外壳：64-LQFP

　　中央处理单元STM8:

　　8位STM8是为代码效率和性能而设计的。

　　它包含6个内部寄存器，可以在每个执行上下文中直接寻址;20种寻址模式，包括索引间接寻址和相对寻址;80条指令。

　　架构和寄存器:

　　哈佛架构

　　号管道

　　32位宽程序内存总线——单周期获取大部分指令

　　X和Y 16位索引寄存器——支持带或不带偏移量和读-修改-写类型数据操作的索引寻址模式

　　8位累加器

　　24位程序计数器- 16 mbyte线性存储空间

　　16位堆栈指针——访问64 k级堆栈

　　8位条件码寄存器——一条指令的结果有7个条件标志

　　8位微控制器STM8S207RBT6寻址:

　　20寻址模式

　　索引间接寻址模式，用于位于地址空间中任何位置的查找表

　　用于局部变量和参数传递的堆栈指针相对寻址模式

　　8位微控制器STM8S207RBT6指令集:

　　80条指令，平均指令大小为2字节

　　标准数据移动和逻辑/算术功能

　　8位乘8位

　　16位乘8位，16位乘16位除法

　　位操作

　　栈与累加器之间的数据传输(push/pop)，具有直接的栈访问

　　使用X和Y寄存器或直接内存到内存传输数据

　　8位微控制器STM8S207RBT6值和值：

　　除非另有规定，在环境温度为25℃和TA = TAmax(由选定的温度范围给出)的环境温度为100%的设备上进行生产测试，保证在环境温度坏的情况下，电源电压和频率的值和值。

　　表脚注中列出了基于表征结果、设计模拟和/或技术特性的数据，但未在生产中进行测试。特征的基础上,和值是指样本测试和代表平均值±标准偏差的3倍(平均±3Σ)。

　　8位微控制器STM8S207RBT6典型值:

　　除非另有说明，典型数据基于TA = 25°C, VDD = 5 V。它们只作为设计指南提供，没有经过测试。典型的ADC精度值是由一批样本的特征标准扩散在整个温度范围内,95%的设备有误差小于或等于价值表示(平均±2Σ)